外延片制备方法、外延片和氮化镓射频器件

本发明涉及一种外延片制备方法、外延片和氮化镓射频器件。外延片制备方法包括以下步骤：步骤1：在衬底上生长GaN掺C的掺C层，并使掺C层钝化；步骤2：在掺C层上生长GaN掺Fe的高阻层；步骤3：在高阻层上生长GaN掺TMIn的V型凹坑层，并烘烤V型凹坑层；步骤4：在V型凹坑层上生长GaN沟道层。外延片利用上述外延片制备方法所制备而成。氮化镓射频器件包括由上述外延片制备的外延层。本发明能够抑制衬底的氧和硅向上扩散，并解决Fe源的扩散拖尾和残留记忆效应，从而提升了电学性能。