半导体器件的形成方法

本发明提供一种半导体器件的形成方法，先形成底部栅极，然后形成第一保护层，第一保护层覆盖底部栅极并延伸覆盖凹槽的内壁以及欧姆接触层的顶面和侧面；在第一保护层上形成图形化的第二光刻胶层，图形化的第二光刻胶层暴露出底部栅极上方的部分第一保护层；以图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀暴露出的第一保护层，以暴露底部栅极的顶面；形成顶部栅极，顶部栅极位于底部栅极上并与底部栅极电性连接；剥离图形化的第二光刻胶层。由于底部栅极和顶部栅极分为两步形成，底部栅极的形貌较为规则，不易剥落，提高了工艺窗口，并通过形成第一保护层来保护底部栅极以及凹槽，可以避免后续制程损伤凹槽，并避免损伤底部栅极与沟道层之间的肖特基接触。