一种基于应变调控氧化的沟槽栅碳化硅MOSFET及其制备方法

本发明公开了一种基于应变调控氧化的沟槽栅碳化硅MOSFET及其制备方法，通过在沟槽底部采用Ar⁺/Xe⁺惰性离子注入工艺，构建10～50nm深度、0.5%～2%应变度的压应变晶格层，利用晶格畸变拉伸Si‑C化学键、降低键能，无需掺杂改性即可局部加速沟槽底部氧化速率，实现槽底栅氧80～100nm、侧壁栅氧50～60nm的差异化厚度结构；本发明彻底规避传统掺杂增氧工艺带来的界面缺陷与阈值漂移问题，有效缓解沟槽底部电场集中效应，大幅提升器件耐压能力与高温可靠性，同时降低栅漏电容、减小开关损耗，兼顾器件导通特性与高频性能，且工艺与现有SiC器件生产线高度兼容，量产性优异，适用于高压高频功率电子设备领域。