半导体器件及其制造方法

本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成具有第一导电类型的第一半导体层；在第一半导体层中形成第一沟槽；在第一沟槽中进行第一选择性外延填充，在第一沟槽底部外延生长得到具有第二导电类型的第一填充层，第一填充层填充第一沟槽的一部分；在第一沟槽中进行第二选择性外延填充，在第一沟槽中外延生长得到具有第二导电类型的第二填充层，第二填充层与第一填充层填充第一沟槽的至少部分，第一选择性外延填充在第一沟槽侧壁的生长速率小于第二选择性外延填充在第一沟槽侧壁的生长速率。根据该制造方法，能够缓解填充沟槽时的提前封口问题。