半导体结构及半导体装置

本发明提供一种半导体结构及半导体装置，其中半导体结构，包含基板、位于基板上的晶种层与位于晶种层上的缓冲层。缓冲层包含位于该晶种层上的第一超晶格部、位于第一超晶格部上的第二超晶格部、以及位于第二超晶格部上的第三超晶格部。第一超晶格部、第二超晶格部、以及第三超晶格部分别具有第一铝浓度、第二铝浓度、以及第三铝浓度。该第二铝浓度小于该第一铝浓度，且该第二铝浓度小于该第三铝浓度。