半导体晶体管器件及其制造方法

本申请涉及一种半导体晶体管器件(10)，包括：半导体本体(20)，例如碳化硅(SiC)半导体本体(21)；在半导体本体(20)的第一侧(20.1)上的绝缘层(30)；绝缘层(30)上的金属化(40)；其中金属化层(40)包括阻挡层(41)和布置在阻挡层(41)上的上层(42)，其中接触孔(35)与绝缘层(30)相交，接触孔(35)具有宽度w，其中阻挡层(41)具有厚度t，其至少是接触孔的宽度w的一半，t ≥ w/2。