用于环栅工艺流程的双栅极LDMOS装置

本公开涉及用于环栅工艺流程的双栅极LDMOS装置。在实施例中，一种晶体管具有带有第一类型区及邻近于所述第一类型区的第二类型区的半导体层。绝缘结构延伸到所述第二类型区中。第一导体在所述第一类型区上。第二导体在所述第二类型区上。第一栅极结构在所述半导体层上，介于所述第一与第二导体之间。所述第一栅极结构包含彼此竖直隔开的半导电层及接触所述半导电层的第一栅极金属。第二栅极结构在所述半导体层上，介于所述第一栅极结构与所述第二导体之间。所述第二栅极结构包含彼此竖直隔开的半导电层。所述第二栅极结构进一步包含接触所述第二栅极结构的所述半导电层的第二栅极金属。