一种半导体器件及其制造方法

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括基底，在基底上形成有至少一个栅极结构；形成阻挡材料层，阻挡材料层覆盖基底表面并随形覆盖栅极结构，阻挡材料层的材质包括非晶硅；对阻挡材料层进行氧化处理，以将阻挡材料层转化为阻挡层，阻挡层的材质包括氧化硅，氧化处理包括炉管热氧化、原位水蒸气生成或快速热氧化；在阻挡层上形成第一介质层，第一介质层中形成有氢杂质，阻挡层阻挡氢杂质向基底方向扩散。本申请通过在形成第一介质层之前形成阻挡层，以阻挡第一介质层中的氢原子向基底方向扩散，从而有效改善NBTI等稳定性问题。