半导体器件

本申请涉及一种半导体器件，包括：第一芯片，包括第一晶体管；第二芯片，包括第二晶体管；第一电容结构中的第一电容包括与第一晶体管的源极和第二晶体管的漏极分别导电连接的第一极板和第二极板；第三芯片中的第三晶体管的漏极与第一晶体管的源极和第一极板导电连接；第四芯片包括位于同一有源区的第四晶体管和第五晶体管，第四晶体管的漏极与第三晶体管的源极导电连接；第四晶体管与第五晶体管的源极与源引脚导电连接，第五晶体管与第二晶体管的栅极与第二栅引脚导电连接；第三芯片与第四芯片之间的距离小于第三芯片与第二芯片之间的距离；第二电容结构中的第二电容包括与第三晶体管和第五晶体管的漏极分别导电连接的第三极板和第四极板。