静电放电保护设备

本公开提供了静电放电保护设备。示例静电放电保护设备依次具有：P型掺杂的半导体基板；N型掺杂的第一半导体层，在半导体基板的顶面上并且与半导体基板的顶面接触；用硼原子掺杂的第二半导体层，在第一半导体层上并且与第一半导体层接触，第二半导体层具有大于或等于10原子/cm的硼原子浓度；以及N型掺杂的第三半导体层，在第二半导体层的顶面上，第一半导体层比第三半导体层掺杂得更重，该设备还包括延伸穿过第一、第二和第三半导体层并开口到半导体基板中的隔离沟槽，在第三半导体层中，在隔离沟槽之间限定至少一个阱。