GaN基AlO插层梯度极化异质结紫外探测器及其制备方法

本发明涉及半导体紫外探测技术领域，尤其涉及一种GaN基AlO插层梯度极化异质结紫外探测器及其制备方法。由下至上依次紧密堆叠的衬底、GaN缓冲层、n型GaN层，以及n型GaN层上的本征GaN吸收层、AlO绝缘层以及梯度AlScN极化层构成的台面结构；n型GaN层的电极接触区表面设置有n型电极，梯度AlScN极化层的上表面设置有顶电极，顶电极与梯度AlScN极化层形成肖特基接触。优点在于：在GaN与AlScN间引入超薄AlO绝缘层，抑制暗态载流子注入、降低界面复合；搭配Sc组分渐变的AlScN极化层，精细调控器件纵向内建电场与异质结势垒，协同实现低暗电流、高响应度、高光暗电流比。