一种VTG工艺方法

本发明公开了一种VTG工艺方法，在VTG沟槽完成扩孔后，牺牲氧化膜生长之前，先对晶圆表面的氮化硅层进行氮气预处理工艺，抑制氮化硅层表面氧化膜的形成。本发明方法在牺牲氧化膜生长前，先通入N进行等离子体预处理，增强N‑Si键的稳定，降低Si原子与O的反应活性，从而抑制SiN表面后续牺牲氧化膜形成，而不影响VTG沟槽内部的牺牲氧化膜的淀积，这样，牺牲氧化膜淀积之后，SiN表面淀积的厚度要明显小于VTG沟槽内部淀积的牺牲氧化膜厚度；SiN湿法刻蚀移除后，VTG沟槽表面的牺牲氧化膜剩余厚度还能保持足够的厚度，满足后续的工艺需求。