一种基于铝及铝合金熔融的晶体硅电池栅线制备工艺

本发明公开了一种基于铝及铝合金熔融的晶体硅电池栅线制备工艺，包括如下步骤：步骤S1：浆料制备；浆料包括60~90wt%导电金属相、10~40wt%有机载体、0~10 wt%功能性添加剂，导电金属相为铝粉或铝硅合金粉；步骤S2：栅线图案成型与有机载体脱除；将浆料丝网印刷于带钝化层的晶体硅电池基板表面形成栅线图案，经热处理脱除有机载体，得到铝粉或铝硅合金粉末预制栅线；步骤S3：熔融致密化与欧姆接触形成；对铝粉或铝硅合金粉末预制栅线进行熔融处理，使铝粉或铝硅合金粉末熔融、流平致密化后冷却凝固，并与硅基底合金化形成欧姆接触，制得熔融栅线。本发明提供一种基于铝及铝合金熔融的晶体硅电池栅线制备工艺，降低工艺温度，成品电阻率低。