一种用于红外光电探测器的IAI电极及其制备方法

本发明公开了一种用于红外光电探测器的IAI电极及其制备方法，属于量子点光电探测器技术领域。所述用于红外光电探测器的IAI电极，从下至上依次包括：底层ITO、中间Ag膜层、顶层ITO；其中：底层ITO与基底接触；顶层ITO与空气接触；底层ITO的厚度为50~70nm、中间Ag膜层的厚度为4~6nm、顶层ITO的厚度为140~160nm。本发明中通过调控IAI电极中底层ITO、中间Ag膜层、顶层ITO三者的厚度在特定的范围内，使IAI电极在红外波段具有高透过率和较低方阻，可显著提高含IAI电极的红外探测器的综合性能。