发光二极管外延结构及其制备方法

本发明提供了一种发光二极管外延结构及其制备方法，包括：由下至上依次位于衬底上的N型欧姆接触层、晶格过渡层、N型窗口层、N型限制层、有源层和P型半导体层，其中N型欧姆接触层为砷化物层，N型窗口层为磷化物层，晶格过渡层包括由下至上依次设置第一晶格过渡层、第二晶格过渡层和第三晶格过渡层中的至少两层；本发明够提升外延层的晶体质量，且提升发光二极管的发光效率。