一种集成静电放电防护器件的MicroLED封装体及其高抗静电能力实现方法

本发明公开了一种集成静电放电防护器件的MicroLED封装体及其高抗静电能力实现方法，包括封装基板以及设置于封装基板上的一颗或多颗MicroLED芯片，且每一颗MicroLED芯片均电连接有一个独立的齐纳二极管，齐纳二极管与对应的MicroLED芯片并联连接，并集成封装于同一封装体内，用于为MicroLED芯片提供静电放电防护，在MicroLED芯片的封装过程中，将一个预先选择好的齐纳二极管与每一颗MicroLED芯片进行精确的电连接，然后进行整体封装，最终构成具有显著增强抗静电能力的MicroLED封装体。本发明旨在克服现有MicroLED封装体在抗静电能力方面的显著不足及传统ESD防护策略的固有局限性，从而显著提升MicroLED封装体的ESD耐压上限，大幅提高其在制造和终端使用过程中的良品率和可靠性。