含阻变存储器的半导体结构及其制备方法

本发明提供一种含阻变存储器的半导体结构及其制备方法，将阻变存储器的制备集成于前段工艺，且只需要增加1层光罩以进行阻变存储器的下电极的制备，且在前段工艺制备高阻层的同时制备阻变存储器的上电极，从而可大幅降低阻变存储器的制作成本，且可进一步的降低器件的厚度，缩小器件尺寸。