一种基于SnO/HfO界面的双ITO电极自整流光适应忆阻器及其制备方法

本发明提供了一种基于SnO/HfO界面的双ITO电极自整流光适应忆阻器及其制备方法，属于光电忆阻器、神经形态器件以及仿生视觉感知技术领域。本发明的器件由下至上依次包括底部ITO电极、HfO界面调控层、SnO光电响应层和顶部ITO电极，HfO界面调控层与SnO光电响应层接触形成SnO/HfO界面。该器件在读取偏压下对380nm、550nm和660nm光刺激均产生光电流响应；在持续光照过程中，器件电流由瞬态响应状态逐渐衰减至稳定状态，撤去光照后逐渐向暗态电流水平恢复；同时，器件在正、负偏压下表现出非对称电流‑电压特性，HfO界面调控层、SnO光电响应层和顶部ITO电极均采用磁控溅射方法依次制备，从而在同一两端器件中集成多波长光响应、持续光照适应和自整流功能。