一种半导体零部件表面修复工艺

本发明公开了一种半导体零部件表面修复工艺，属于半导体制造技术领域，包括获取待修复晶圆表面的缺陷深度分布图与缺陷位置坐标集，依据缺陷深度分布图划分不同深度梯度；基于缺陷位置坐标集控制近红外激光源对缺陷区域进行定位照射，利用缺陷区域对近红外光的几何光陷阱效应在缺陷区域形成局域温升；通入活化蚀刻气体，利用局域温升使缺陷区域温度高于蚀刻反应阈值，进行选择性原子层蚀刻去除损伤层，并实时监测蚀刻深度等步骤，解决了传统修复依赖光斑物理尺寸导致无法精细修复低于光斑尺寸的纳米级划痕，以及全局处理易损伤完好区域的技术问题，实现了基于本征光热响应差异的高选择性纳米级缺陷无掩膜修复。