一种半导体器件用扩散薄膜的制造方法

本发明公开了一种半导体器件用扩散薄膜的制造方法，在半导体器件扩散工艺中实现硅片的同一个面上同时扩散形成P区和N区，也可以通过不同浓度杂质薄膜的复合，形成具有径向浓度梯度的扩散杂质源，实现半导体器件的径向不同浓度扩散。减小了用直拉单晶法生产硅片时硅片衬底径向电阻率差异而引起的PN结径向击穿电压偏差。