堆叠结构的刻蚀方法、形成方法及半导体工艺设备

本申请提供了一种堆叠结构的刻蚀方法、形成方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。该方法包括提供堆叠结构，堆叠结构包括交替堆叠的多层牺牲层和多层功能层，功能层和牺牲层为不同的材料膜层，牺牲层的材料包括目标元素，堆叠结构在垂直方向上被划分为第一区域及位于第一区域上的第二区域，第二区域中的牺牲层的层数大于或等于1且小于牺牲层的总层数的30%，第一区域中的任意两个牺牲层中的目标元素的浓度差小于预定阈值，第二区域中的牺牲层中的目标元素的浓度大于第一区域中的牺牲层中的目标元素的浓度；沿堆叠结构的侧壁横向刻蚀牺牲层。通过提高第二区域的牺牲层的目标元素的浓度，补偿堆叠结构的顶部的刻蚀速率，提高刻蚀均匀性。