半导体处理装置及防下压机构

本申请提供一种半导体处理装置及防下压机构，其中半导体处理装置主要包括：多腔分体式腔体、提升机构和防下压机构；多腔分体式腔体包括上腔体、中腔体和下腔体，上腔体具有多个，多个上腔体分别连接至中腔体，中腔体可分离式地连接于下腔体；提升机构具有升降部，用于升降中腔体，以使中腔体与下腔体分离或配合；防下压机构设置于升降部与中腔体之间，配置为当升降部上升时，将升降部的上升驱动力传递至中腔体，当升降部下降至中腔体与下腔体相配合后，防止中腔体对下腔体施加下压力。本申请能够防止中腔体与下腔体配合后对下腔体造成过压。