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案件記録
密封环结构
発明不明
20請求項 · 3 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
M·D·雷维; B·J·布朗
出願日
Feb 4, 2026
公開日
Oct 16, 2026
IPC分類
H10W 42/00 (2026.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 30/47 (2025.01)
本公开涉及半导体结构,更具体地涉及密封环结构及制造方法。该结构包括:沟槽结构,其位于GaN材料堆叠中;欧姆金属,其在沟槽结构的一侧接触GaN材料堆叠的上表面;以及密封环结构,其在沟槽结构的一侧从欧姆金属竖直延伸并与欧姆金属接触。
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