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案件記録
基于拓扑绝缘体结构的半导体封装重布线层及电子设备
発明不明
10請求項 · 3 独立
§ Ⅰ
案件概要
IPC分類
H10W 42/20 (2026.01)H10W 44/20 (2026.01)H10W 42/80 (2026.01)H10W 40/25 (2026.01)H10W 76/63 (2026.01)H10W 76/67 (2026.01)H10W 76/18 (2026.01)H10W 70/62 (2026.01)G02B 6/12 (2006.01)
本发明公开了一种基于拓扑绝缘体结构的半导体封装重布线层及电子设备,该重布线层包括氧化铝陶瓷基底引脚组件、拓扑光子晶片隔离组件、铜镍合金电磁屏蔽层、光/电接口组件及塑封保护外壳;拓扑光子晶片内部波导通道侧壁设有五重对称准晶体拓扑点阵,形成拓扑绝缘体光子通道,配合二氧化硅基拓扑隔离结构实现多光路独立传输;铜镍合金电磁屏蔽层全域包覆并与接地引脚无缝连接,提供全频段高效电磁屏蔽;通过高维准晶拓扑投影原理构建具备拓扑保护效应的波导通道,光路插入损耗≤0.1dB,屏蔽效能≥80dB,防护等级达IP67,可有效抑制光子散射损耗与电磁干扰,适用于量子测控芯片、CPO共封装及超高频光子集成等高端应用场景。
外部リソース