検索に戻る
案件記録
使用管芯和先柱法的半导体器件及制造方法
発明不明
11閲覧数
15請求項 · 3 独立
§ Ⅰ
案件概要
IPC分類
H10W 70/09 (2026.01)H10W 70/60 (2026.01)H10W 70/63 (2026.01)H10W 70/655 (2026.01)H10W 70/652 (2026.01)H10W 90/22 (2026.01)
使用管芯和先柱法的半导体器件及制造方法。一种半导体器件具有半导体管芯和邻近半导体管芯设置的导电柱。密封剂沉积在半导体管芯和导电柱上方。第一导电层直接形成在密封剂、导电柱和半导体管芯上。第二导电层直接形成在与第一导电层相对的密封剂、导电柱和半导体管芯上。
外部リソース