用于半导体计量的高亮度X射线源

本文呈现用于从基于高速旋转阳极的X射线照明源产生适用于高产量X射线计量的高亮度X射线辐射的方法及系统。将具有至少80 keV的着陆能量及至少400瓦特的射束功率的电子流引导到旋转阳极材料结构。入射位置处的所述电子流的电子强度的空间分布的形状是长形的。电子强度沿着所述空间分布的最大范围方向的半峰全宽除以所述电子强度的垂直于所述最大范围方向的半峰全宽是至少4。电子强度的垂直于所述最大范围方向的所述半峰全宽是40微米或更小。采用经汲出X射线发射以执行基于X射线的计量。