填埋金属的方法和基板处理装置

在半导体晶圆形成含金属膜来抑制形成于凹部内的金属布线的形状不良并降低布线的电阻率。本公开的方法用于向形成于基板的凹部内填埋金属，所述方法包括以下工序：在形成有所述凹部的基板形成氮化金属膜，来向所述凹部内填埋氮化金属；以及接着在所述氮化金属膜的上表面侧形成所述氮化金属所包含的金属的金属膜，通过使氮原子从所述氮化金属膜侧向所述金属膜侧扩散来设为在所述凹部内填埋有含氮量下降了的所述金属的状态。