硅压阻芯片单电桥结构自补偿方案的方法

本发明提供硅压阻芯片单电桥结构自补偿方案的方法，属于硅压阻芯片技术领域。包括以下内容：S1：选用晶向单晶硅作为芯片衬底基材，之后进行预处理工作；S2：根据传感器目标压力量程，采用湿法腐蚀或干法刻蚀工艺，进行敏感膜制备；S3：采用扩散硅工艺或SOI工艺，对压阻条掺杂成型；S4：划分敏感膜边缘高应力区与边缘内侧次高应力区，进行差异化分区布局。本发明通过创新型单电桥差异化结构自补偿设计，从而突破传统硅压阻芯片的固有技术短板，并依靠纯物理结构实现共模干扰全域抑制，使得整个过程无需算法补偿、无需改造硬件结构与封装工艺，相较于现有各类压力传感器具备显著技术优势与产业化价值。