一种无金属催化原位生长碳纳米管阵列材料及其制备方法和应用

本发明公开了一种无金属催化原位生长碳纳米管阵列材料及其制备方法和应用，属于碳纳米管阵列材料技术领域。本发明首创“无金属催化”碳膜表面原位生长碳纳米管阵列的技术。该技术摒弃了传统的Fe、Co、Ni等过渡金属催化剂，利用碳膜表面特定的活性位点，如边缘缺陷、含氧官能团或特定的晶格结构，直接诱导碳纳米管成核生长。这从根源上消除了金属残留带来的热阻增加、电学短路风险及光模块污染问题。采用本发明的制备方法不使用任何金属，满足零金属污染要求。制得的碳纳米管阵列材料可直接用于对金属污染零容忍的1.6T/3.2T光模块、激光雷达、高频通信器件等高端封装领域。