一种芯片刻蚀气的制备方法

本发明涉及半导体用高端电子特气制备技术领域，尤其涉及一种芯片刻蚀气的制备方法，具体为四氟甲烷或六氟乙烷的制备方法。本发明首次提出含氟有机废物与目标产物（四氟甲烷或六氟乙烷）共裂解，在电弧区域同时通入目标产物与含氟有机废物进行裂解，利用“化学耦合自平衡”机制，即用四氟甲烷或六氟乙烷的氟自由基烧蚀去抵消含氟有机废物的结焦，通过精确控制四氟甲烷（或六氟乙烷）和含氟有机废物的进料比例，使电极表面的“碳沉积速率”与“氟刻蚀速率”相等，从而实现电极不结焦不损耗的热等离子体制备四氟甲烷或六氟乙烷，同时不为系统引入新杂质，分离纯化难度和成本大幅降低。