一种非局域自旋塞贝克器件的结构参数优化方法

本发明提供了一种非局域自旋塞贝克器件的结构参数优化方法，属于自旋热电子学与自旋输运器件设计技术领域。本发明首先获取器件的材料物性参数（磁振子弛豫时间、扩散系数）、几何尺寸（磁性层厚度、电极间距）及工作温度；然后建立同时考虑磁振子扩散、弛豫与非平衡积累的多时间尺度输运模型，计算磁振子及非局域热自旋信号的空间分布，并确定信号反转位置；最后以该反转位置为基准，根据目标输出极性或幅值要求，选择最优的磁性层厚度和电极间距，完成结构参数优化。本发明可在器件制备前预测信号空间分布与反转规律，有效减少实验试错成本，提高设计效率和可靠性，适用于不同厚度、不同材料体系的热自旋传感器及逻辑器件设计。