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案件記録
基于Mextram模型的NPN晶体管ELDRS效应建模方法
発明不明
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
李小龙; 王信; 崔江维; 郑齐文; 文林; 李豫东; 郭旗
出願日
Jun 29, 2026
公開日
Oct 20, 2026
IPC分類
G06F 30/367 (2020.01)G06F 30/373 (2020.01)
本发明公开了一种基于Mextram模型的NPN晶体管ELDRS效应建模方法,用于解决现有的Mextram模型计算过程复杂以及难以准确描述双极晶体管的辐射损伤退化特征的问题。该方法基于晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应机制及基极电流退化方程,结合辐射缺陷电荷和晶体管的结构参数得到晶体管的辐射效应数学模型;采用VerilogA语言描述辐射效应数学模型,得到晶体管的辐射效应子电路模型;考虑在大注入条件下晶体管基极电流不受辐射影响的特征,增加辐射模型参数,得到叠加ELDRS效应的晶体管Mextram模型;最后结合辐照后的晶体管Gummel曲线,通过提参建模软件提取晶体管的辐射效应模型参数。该模型通过在常规Mextram模型中叠加辐射效应分量,实现辐射损伤的精确表征。
外部リソース