单晶硅拉制参数的确定方法、电子设备及存储介质

本申请实施例提供一种单晶硅拉制参数的确定方法、电子设备及存储介质。该方法包括：获取单晶硅拉制过程中的制取参数数据及对应的位错缺陷检测数据，根据所述制取参数数据和所述位错缺陷检测数据构建样本集；利用所述样本集训练机器学习模型，以建立所述制取参数与所述位错缺陷之间的关联关系；获取实时制取参数数据，将所述实时制取参数数据输入训练后的所述机器学习模型，识别位错缺陷的核心成因；根据所述核心成因和所述关联关系确定各制取参数的取值，以用于单晶硅拉制过程的参数调整。该方法用以达到在单晶硅拉制过程中提高位错缺陷成因识别的准确性，并实现工艺参数优化的量化性和稳定性的效果。