一种基于TiCr层增强Co薄膜垂直磁各向异性的材料、制备方法及应用

本发明公开了一种基于TiCr层增强Co薄膜垂直磁各向异性的材料、制备方法及应用，涉及自旋电子材料与磁性功能器件技术领域，所述材料为TiCr/Co/SiN三层叠层复合磁性薄膜结构，为TiCr合金缓冲层、Co铁磁功能层、SiN防护层。本发明针对传统Pt底层无界面轨道流效应、自旋调控能力缺失、成本高昂，纯Ti底层无法有效诱导Co薄膜实现强垂直磁各向异性，创新性采用50:50等原子比TiCr合金作为缓冲底层，在保留Ti元素界面轨道流、保障薄膜自旋输运与自旋轨道耦合调控能力的基础上，利用Cr元素的晶格匹配优化与晶界磁隔离作用，改善Co薄膜的垂直择优织构，弱化晶粒间交换耦合，提升Co基薄膜垂直磁各向异性。