半导体结构及其制造方法

本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构至少包括第一牺牲层和位于第一牺牲层下方的第二牺牲层；刻蚀堆叠结构以形成在竖直方向上贯穿堆叠结构的电容孔，并在电容孔内形成第一电极层；执行多次循环工艺，去除第一牺牲层；其中，一次循环工艺包括：对第一牺牲层执行第一刻蚀工艺，以形成暴露部分第一电极层侧壁的第一循环间隙；对第一电极层被暴露的侧壁执行第二刻蚀工艺，以减小被暴露的第一电极层在水平方向上的尺寸。