三维存储器及其制作方法、存储器系统

本申请提供了一种三维存储器及其制作方法、存储器系统。三维存储器包括：第一半导体结构，第一半导体结构包括外围电路；第二半导体结构，第二半导体结构位于第一半导体结构沿第一方向的一侧，第二半导体结构包括第一存储阵列，第二半导体结构与第一半导体结构耦接；第三半导体结构，沿第一方向，第三半导体结构位于第一半导体结构远离第二半导体结构的一侧，第三半导体结构包括第二存储阵列，第三半导体结构与第一半导体结构耦接。