ETOX Nor闪存的双重侧墙制备方法及器件

本发明公开了一种 ETOX Nor 闪存的双重侧墙制备方法，包括：1）进行外围区栅极刻蚀，形成外围区图案，此时存储单元区控制栅/浮栅尚未成图；2）依次进行高温氧化硅、氮化硅沉积，形成外围区侧墙预制结构；3）刻蚀上述薄膜，去除顶部和衬底上的膜层，仅在侧壁保留预设厚度的外围区侧墙；4）在存储单元区完成控制栅/浮栅图案化；5）在两区栅极结构上依次沉积高温氧化硅、氮化硅、氧化硅，形成双重侧墙预制结构；6）整体刻蚀三层薄膜，去除顶部和衬底上的膜层，仅侧壁保留侧墙，最终形成存储单元区和外围区两种不同厚度的侧墙，即双重侧墙。本发明通过调整工艺顺序使单元区侧墙适配小节点尺寸需求，外围区侧墙保持设计厚度，实现两区侧墙厚度独立调控。