一种基于铁电序参量调控的可编程忆感器及其应用

一种基于铁电序参量调控的可编程忆感器及其应用，从下到上包括导电衬底、序参量电感材料层和至少两个顶电极，相邻顶电极间沟道构成忆感功能区域。该材料层具有铁电序，在特定温区无长程磁序，仅存在局域磁矩和局域手性自旋关联；以铁电序为核心，通过极化与手性自旋动力学耦合，脉冲下极化经Dzyaloshinskii‑Moriya相互作用（DMI）驱动振荡，在阻抗中产生正电感，调控极化大小即可调电感，实现本征忆感。将序参量电感与铁电隧道结集成阵列，可编程多级感应状态，与电阻态复用，构建图案化感应存储器，并借交直流耦合调谐共振频率响应。将电感变为可写状态，填补忆感器空白。