集成芯片及其形成方法

集成芯片包括阻挡层，阻挡层包括位于半导体衬底上方的第一导电材料。集成芯片包括下部电极层，下部电极层包括位于阻挡层上方的与第一导电材料不同的第二导电材料。集成芯片包括位于下部电极层上方的介电层。集成芯片包括位于介电层上方的上部电极层。集成芯片包括密封层，密封层包括密封上部电极层、介电层、下部电极层和阻挡层的第一介电材料。集成芯片包括间隔件层，间隔件层包括位于阻挡层的上表面上的与第一介电材料不同的第二介电材料。密封层通过间隔件层与下部电极层的侧壁、介电层的侧壁和上部电极层的侧壁间隔开。本申请的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。