半导体器件及其制备方法

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底的表面形成有栅结构，且栅结构两侧的半导体衬底中形成有凹槽；在凹槽内形成第一籽晶层，不同晶面的第一籽晶层的生长速度不同；对第一籽晶层执行回刻蚀工艺，以减薄第一籽晶层生长较快的晶面的第一籽晶层的厚度；在执行回刻蚀工艺后的第一籽晶层的表面形成第二籽晶层；在第二籽晶层上依次形成主体层和盖帽层。本发明的制备方法可以进行籽晶层厚度均匀性调控，使得籽晶层厚度更均匀。