底栅顶接触二硫化钼场效应晶体管及其制备方法

本发明提供一种底栅顶接触二硫化钼场效应晶体管及其制备方法，属于半导体制造技术领域，晶体管包括：衬底；设置在衬底上的底栅电极；设置在底栅电极上的栅极绝缘层；其中，栅极绝缘层为由氧化铪层、氧化铝层以及氮化硼层堆叠形成的复合膜层；设置在栅极绝缘层上的二硫化钼沟道层；设置在二硫化钼沟道层上的源极和漏极。本发明解决了现有技术中底栅型二硫化钼器件存在的栅控能力弱、界面缺陷与磁滞效应突出以及集成性差的问题。