半导体结构和形成半导体器件的方法

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该结构具有设置在衬底上的多个沟道和连接至多个沟道的源极/漏极。源极/漏极包括第一层和位于第一层上方的第二层。该结构还包括位于源极/漏极上方的CESL和位于CESL上方的ILD层。该方法还包括翻转结构以使衬底的背侧朝上，以及在衬底的背侧上方沉积介电层。该方法还包括使用蚀刻剂气体执行蚀刻工艺以形成沟槽，沟槽延伸穿过介电层和衬底以暴露源极/漏极。蚀刻剂气体可以包括含硫气体。在蚀刻工艺期间，蚀刻剂气体与由沟槽暴露的材料反应，以在沟槽内形成钝化层，钝化层抑制源极/漏极的蚀刻。