半导体器件及其制造方法

制造半导体器件的方法包括形成沿着第一方向布置的多个间隔开的沟道区域的第一堆叠件和第二堆叠件。绝缘层设置在第一堆叠件和第二堆叠件之间的衬底中。具有第一电导率的源极/漏极区域沿着第三方向形成在第一堆叠件和第二堆叠件之间。在与第一主表面相对的第二主表面中形成开口，开口暴露源极/漏极区域的部分。在开口中的源极/漏极区域上方形成具有第二电导率的外延层。第一电导率和第二电导率不同。介电衬里层形成在外延层和开口的侧壁上方。去除外延层上方的介电衬里层的部分，暴露外延层，并且在外延层上方形成导电填充层，填充开口。本公开的实施例还涉及半导体器件。