半导体器件及其形成方法

公开了半导体器件和形成半导体器件的方法。该半导体器件包括具有第一宽度的第一基底部分、具有第二宽度的第二基底部分、分别设置在第一基底部分和第二基底部分上的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域、设置在第一基底部分上的具有第三宽度的第一纳米结构沟道区域、设置在第二基底部分上的具有第四宽度的第二纳米结构沟道区域、设置在第一源极/漏极区域的背侧表面上的具有第五宽度的第一接触结构、以及设置在第二源极/漏极区域的背侧表面上的具有第六宽度的第二接触结构。第四宽度小于第三宽度，并且第六宽度小于第五宽度。