半导体器件结构及其形成方法

描述了半导体器件结构及其形成方法。该方法包括在第一区域中的衬底上方形成第一源极/漏极区域，在第二区域中的衬底上方形成第二源极/漏极区域，形成第一开口以暴露第一区域中的第一源极/漏极区域，形成第二开口以暴露第二区域中的第二源极/漏极区域，在第一区域中执行第一预非晶化注入（PAI）工艺，在第二区域中执行第二PAI工艺，并且第一PAI工艺和第二PAI工艺在不同时间执行。该方法还包括在第一开口中沉积第一导电部件，并且在第二开口中沉积第二导电部件。