一种基于二维材料CuInPS/WS/石墨烯的光电突触器件

本发明公开了一种基于二维材料CuInPS/WS/石墨烯的光电突触器件。其包括自下而上堆叠的Si/SiO衬底、铬/金底电极、二维材料CuInPS层，WS层，石墨烯层，铬/金顶电极，每一层材料均与相邻材料接触。该器件利用二维材料的离子迁移特性、带隙可调性、高载流子迁移率和良好的化学稳定性，在电脉冲刺激下成功模拟了电学突触可塑性,实现了短期记忆的功能并且在可见光波段实现了光学突触可塑性。该研究不仅为神经形态计算的实现提供了全新的器件设计思路,也为下一步开发高效、可扩展的神经形态硬件奠定了坚实基础。