一种低暗电流的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器

本发明属于半导体红外探测器技术领域，公开了一种低暗电流的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器。探测器结构包括GaSb衬底、GaSb缓冲层、下接触层、电子势垒层、吸收层、空穴势垒层、上接触层、盖层、钝化层、电极，吸收层为非故意掺杂InAs/GaSb II类超晶格吸收层。通过电子势垒层和空穴势垒层的双势垒结构设计，有效抑制了扩散电流、产生‑复合电流和隧穿电流。通过在吸收层中引入InSb界面层，实现了超晶格整体的应变平衡，减少了界面态密度，提高了少子寿命，从源头降低了SRH复合相关的暗电流。