梯度势垒型超晶格红外探测器及其制作方法

本申请公开了一种梯度势垒型超晶格红外探测器及其制作方法。梯度势垒型超晶格红外探测器从下至上依次设置有：衬底；缓冲层；P型接触层；吸收层；梯度过渡势垒层，为N阶M结构超晶格，N≥2，沿远离所述吸收层的方向，所述梯度过渡势垒层的等效价带顶呈阶梯式下降，且其等效导带底不高于所述吸收层的等效导带底；以及N型接触层。将传统的固定周期M势垒层改进成一种N阶能带高度阶梯式递变的过渡势垒层，通过使势垒层的等效能带平滑过渡，既能保证导带的平齐无势垒，又能实现价带的渐变降低，从而打破传统结构中暗电流抑制与量子效率提升相互制约的技术瓶颈，解决长波探测器量子效率低和暗电流大并存的问题。