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案件記録
一种增强出光效率的半导体发光外延结构及其制备方法
発明不明
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10請求項 · 2 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
熊小亮; 焦二斌; 张瀚; 陈铭胜; 文国昇; 金从龙
出願日
Jul 24, 2026
公開日
Oct 20, 2026
IPC分類
H10H 20/812 (2025.01)H10H 20/825 (2025.01)H10H 20/01 (2025.01)C30B 25/18 (2006.01)C30B 29/40 (2006.01)
一种增强出光效率的半导体发光外延结构及其制备方法,该结构包括衬底,以及在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、折射率渐变层、有源层和P型半导体层,折射率渐变层包括In组分,In组分自N型半导体层向有源层的方向逐渐升高,以使得折射率渐变层的折射率单调递增。本发明旨在解决现有技术中折射率渐变层无法主动引导光线、出光效率偏低的问题。
外部リソース