一种用于石英晶体晶圆连续加工的离子刻蚀系统

本发明涉及石英晶体晶圆连续加工技术领域，公开了一种用于石英晶体晶圆连续加工的离子刻蚀系统，该系统包括：进片时序校准单元用于对连续输送的待刻蚀晶圆进行节拍整形处理，并输出标准进片时序信号；入腔位置检测单元用于在待刻蚀晶圆进入刻蚀执行腔体入口时，实时获取待刻蚀晶圆的空间入腔状态信息，并生成位置偏差信号；分级偏差判断单元用于基于位置偏差信号与标准进片时序信号对待刻蚀晶圆进行时间偏差与位置偏差的联合判定，并根据联合判定结果将待刻蚀晶圆入腔状态划分为多级处理状态；离子能量动态均衡调节单元用于根据不同处理状态执行差异化补偿控制策略；本发明有效避免了因进片偏差导致的等离子体分布不均问题。